英特尔 3D 封装最新进展,开发 FIVR 以稳定 3D 堆叠系统功率

集微网消息,英特尔公司在封装设计中开发了一种嵌入式电感的全集成稳压器(Fully Integrated Voltage Regulators,FIVR),用于控制芯片在 3D-TSV 堆叠系统中的功率。

据 eeNews 报道,电压控制器对于 3D 封装至关重要,后者将基于工作负载的最优流程节点实现的 chiplet 封装在一起。这是一种灵活且经济高效的方法,可以创建多种配置,但需要更复杂的电源控制。

英特尔在俄勒冈州和亚利桑那州的团队使用 0.9nH-1.4nH 3D-TSV 基于封装嵌入式电感器开发了一种 FIVR,其效率比低退出调节器(LDO)高 37.6%,在 10mA-1A 负载范围内实现了平坦的效率,而无需相互通信。

英特尔 3D 封装最新进展,开发 FIVR 以稳定 3D 堆叠系统功率

图源:eeNews

FIVR 在基于 22nm 工艺的裸片上实现,采用三种 TSV 友好型电感结构,具有多面积与效率的权衡选项。这些很容易并行地构建模块化设计,可以服务于广泛而不同的 chiplet。

该设计在最近的 VLSI 2022 研讨会上进行了讨论。

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